Transistor NPN 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

Transistor NPN 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.01fr
5-24
0.86fr
25-49
0.78fr
50-99
0.73fr
100+
0.65fr
Quantità in magazzino: 9

Transistor NPN 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità e amplificatore lineare. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 30. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N5416
24 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-39 ( TO-205 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-39
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
300V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
75pF
Costo)
15pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
15 MHz
Funzione
Commutazione ad alta velocità e amplificatore lineare
Guadagno hFE massimo
120
Guadagno hFE minimo
30
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
10W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-65...+200°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Cdil