Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
6.72fr
5-24
6.01fr
25-49
5.53fr
50-99
5.16fr
100+
4.59fr
Quantità in magazzino: 145

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 500pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 50A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5884. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Temperatura: +200°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N5886
27 parametri
Corrente del collettore
25A
Alloggiamento
TO-3 ( TO-204 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
500pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
4 MHz
Guadagno hFE massimo
100
Guadagno hFE minimo
20
Ic(impulso)
50A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2N5884
Temperatura di funzionamento
-65...+200°C
Temperatura
+200°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tf(massimo)
0.8us
Tf(min)
0.8us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor