Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0718fr
50-99
0.0624fr
100-199
0.0564fr
200+
0.0477fr
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Equivalenza disponibile
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Min.: 10

Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Frequenza massima: 40MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: PNP. Potenza: 0.63W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N6520
27 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
-350V
Corrente del collettore
0.5A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
350V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
100pF
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Frequenza massima
40MHz
Guadagno hFE massimo
200
Guadagno hFE minimo
15
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
PNP
Potenza
0.63W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2N6517
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Cdil
Quantità minima
10

Prodotti e/o accessori equivalenti per 2N6520