Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.16fr
5-49
0.13fr
50-99
0.11fr
100-199
0.10fr
200+
0.0887fr
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Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92, 2-5F1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1162. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1015GR
26 parametri
Corrente del collettore
0.15A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92, 2-5F1B
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Funzione
amplificatore audio
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
200
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.4W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC1162
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura di funzionamento
-...+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba