Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0773fr
50-99
0.0664fr
100-199
0.0584fr
200+
0.0468fr
Quantità in magazzino: 8959
Min.: 10

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Funzione: hFE.120-240. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: 1015 Y. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1815Y. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Temperatura: +125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1015Y
28 parametri
Corrente del collettore
0.15A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Funzione
hFE.120-240
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
120
Marcatura sulla cassa
1015 Y
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.4W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC1815Y
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura di funzionamento
-...+125°C
Temperatura
+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba
Quantità minima
10