Transistor NPN 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V

Transistor NPN 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.27fr
5-9
1.14fr
10-24
1.05fr
25-49
0.96fr
50+
0.83fr
Quantità in magazzino: 60

Transistor NPN 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F (2-8A1H). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 30pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3421Y. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1358Y
24 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-126F
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126F (2-8A1H)
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
30pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
120 MHz
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
120
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
10W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC3421Y
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba