Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.13fr
5-9
0.92fr
10-24
0.78fr
25-49
0.70fr
50+
0.60fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 52

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-8H1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 2.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3423. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1360
22 parametri
Corrente del collettore
0.05A
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-8H1A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
2.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
80
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
5W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC3423
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
150V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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