Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.79fr
5-24
1.60fr
25-49
1.48fr
50-99
1.36fr
100+
1.14fr
Quantità in magazzino: 17

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Funzione: video. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura: +150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2SA1370
25 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92M ( 9mm )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1.7pF
Costo)
2.6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Funzione
video
Guadagno hFE massimo
320
Guadagno hFE minimo
40
Ic(impulso)
200mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura
+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.6V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Sanyo