Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.69fr
5-9
1.55fr
10-24
1.47fr
25-49
1.39fr
50+
1.28fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 22

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Tecnologia: Tipo epitassiale. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:35

Documentazione tecnica (PDF)
2SA965
23 parametri
Corrente del collettore
0.8A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92M ( 9mm )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
120 MHz
Funzione
Processo PCT
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
80
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.9W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y
Tecnologia
Tipo epitassiale
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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