Transistor NPN 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V

Transistor NPN 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.43fr
5-9
3.13fr
10-24
2.89fr
25+
2.69fr
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito

Transistor NPN 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 95pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 130 MHz. Funzione: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1804. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tf (tipo): 20 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 07:35

Documentazione tecnica (PDF)
2SB1204
22 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251 ( I-Pak )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
95pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
130 MHz
Funzione
High-Current switching, low-sat
Id(imp)
12A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
20W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SD1804
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tf (tipo)
20 ns
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
60V
Prodotto originale del produttore
Sanyo