Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 8A, 12A. FT: 10 MHz. Frequenza: 10MHz, 15MHz. Guadagnare hfe: 20...200. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Marcatura sulla cassa: B668. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Polarità: bipolari. Potenza: 100W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD718. Temperatura: +150°C. Tensione (collettore - emettitore): 120V, 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Korea Electronics Semi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:51