Transistor NPN 2SB861, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor NPN 2SB861, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.71fr
5-24
0.56fr
25-49
0.48fr
50+
0.42fr
Quantità in magazzino: 593

Transistor NPN 2SB861, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 5A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Quantità per scatola: 1. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 200V. Prodotto originale del produttore: Hitachi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:26

Documentazione tecnica (PDF)
2SB861
23 parametri
Corrente del collettore
2A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Funzione
transistor PNP
Guadagno hFE massimo
200
Guadagno hFE minimo
60
Ic(impulso)
5A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Quantità per scatola
1
Resistenza B
10
Resistenza BE
47
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SD1138
Tensione di saturazione VCE(sat)
3V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
no
Vcbo
200V
Prodotto originale del produttore
Hitachi