Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.61fr
5-49
0.53fr
50-99
0.47fr
100-199
0.42fr
200+
0.36fr
Quantità in magazzino: 78

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 3pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: C224GR. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970GR. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:13

Documentazione tecnica (PDF)
2SC2240GR
26 parametri
Corrente del collettore
0.1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
3pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
200
Marcatura sulla cassa
C224GR
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.3W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SA970GR
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura di funzionamento
-55...+125°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba