Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.88fr
5-19
2.56fr
20-39
2.37fr
40-59
2.17fr
60+
1.63fr
Quantità in magazzino: 285

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: DG. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD DG. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1163. Tensione di saturazione VCE(sat): 300mV. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:13

2SC2713-GR
21 parametri
Corrente del collettore
0.1A
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Guadagno hFE massimo
700
Guadagno hFE minimo
200
Marcatura sulla cassa
DG
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
serigrafia/codice SMD DG
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150mW
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SA1163
Tensione di saturazione VCE(sat)
300mV
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
120V
Prodotto originale del produttore
Toshiba