Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.36fr
5-24
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25-49
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Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 120 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: C3303. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:13

Documentazione tecnica (PDF)
2SC3303
24 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
120 MHz
Funzione
Commutazione ad alta velocità
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
70
Ic(impulso)
8A
Marcatura sulla cassa
C3303
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
20W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
"Tipo epitassiale (processo PCT)"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tf(massimo)
0.1us
Tf(min)
0.1us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Toshiba