Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.71fr
5-29
2.39fr
30-59
2.20fr
60+
2.08fr
Quantità in magazzino: 11

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:13

Documentazione tecnica (PDF)
2SC3460
23 parametri
Corrente del collettore
6A
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
15 MHz
Funzione
Applicazioni dei regolatori di commutazione
Guadagno hFE massimo
40
Guadagno hFE minimo
10
Ic(impulso)
20A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
"Transistor al silicio planare triplo diffuso"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tf(massimo)
0.3us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1100V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Sanyo