Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.71fr
5-24
3.35fr
25-49
3.07fr
50+
2.92fr
Quantità in magazzino: 22

Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 2 MHz. Funzione: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SC5148
23 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-16E3A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
2 MHz
Funzione
Horizontal Deflection Output, high speed Switch
Guadagno hFE massimo
25
Guadagno hFE minimo
8:1
Ic(impulso)
16A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
Tipo MESA triplo diffuso
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
5V
Tf(massimo)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba