Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.54fr
5-9
2.30fr
10-24
2.13fr
25-49
1.97fr
50+
1.79fr
Quantità in magazzino: 75

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 170pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5198 O. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1941. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SC5198-TOS
27 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-3PN ( 2-16C1B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
2-16C1B
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
140V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
170pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Funzione
Amplificatore di potenza HI-FI
Guadagno hFE massimo
160
Guadagno hFE minimo
80
Marcatura sulla cassa
C5198 O
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SA1941
Tecnologia
Transistor planare triplo diffuso
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba