Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.67fr
5-9
0.55fr
10-24
0.48fr
25-49
0.43fr
50+
0.37fr
Quantità in magazzino: 17

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 12pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 4A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:12

Documentazione tecnica (PDF)
2SD1207
24 parametri
Alloggiamento
TO-92
Corrente del collettore
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
12pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
200
Ic(impulso)
4A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SB892
Tecnologia
"Transistor Darlington epitassiale planare in silicio"
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.15V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Sanyo