Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.83fr
5-24
0.70fr
25-49
0.61fr
50-99
0.52fr
100+
0.43fr
Quantità in magazzino: 72

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: D667. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 9mm. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB647. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Hitachi. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24

Documentazione tecnica (PDF)
2SD667
24 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
140 MHz
Funzione
Amplificatore di potenza a bassa frequenza
Guadagno hFE massimo
120
Guadagno hFE minimo
60
Ic(impulso)
2A
Marcatura sulla cassa
D667
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
9mm
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.9W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SB647
Tecnologia
Silicon NPN Epitaxial
Temperatura di funzionamento
-50...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Hitachi