Transistor NPN 2SD712, 4A, 100V

Transistor NPN 2SD712, 4A, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.78fr
5-49
0.62fr
50-99
0.53fr
100+
0.48fr
Quantità in magazzino: 21

Transistor NPN 2SD712, 4A, 100V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. FT: 8 MHz. Funzione: -. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB682. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24

2SD712
9 parametri
Corrente del collettore
4A
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
FT
8 MHz
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Quantità per scatola
1
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SB682
Tipo di transistor
NPN
Prodotto originale del produttore
Mitsubishi Electric Semiconductor