Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.74fr
5-9
2.47fr
10-24
2.26fr
25-49
2.12fr
50+
1.88fr
Quantità in magazzino: 75

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 12 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB688. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Korea Electronics Semi. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:24

2SD718
24 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
12 MHz
Funzione
amplificatore di potenza audio
Guadagno hFE massimo
160
Guadagno hFE minimo
55
Ic(impulso)
10A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
80W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) 2SB688
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Korea Electronics Semi.