Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.68fr
5-24
0.58fr
25-49
0.50fr
50-99
0.45fr
100+
0.40fr
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Equivalenza disponibile
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Transistor NPN BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 0.65 MHz. Frequenza massima: 75MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Polarità: PNP. Potenza: 0.85W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Temperatura: +175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:56

Documentazione tecnica (PDF)
BC303
25 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
-60V
Corrente del collettore
0.5A
Alloggiamento
TO-39 ( TO-205 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-39
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
0.65 MHz
Frequenza massima
75MHz
Guadagno hFE massimo
120
Guadagno hFE minimo
40
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.85W
Polarità
PNP
Potenza
0.85W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Temperatura
+175°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.65V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
85V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Cdil

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