Transistor NPN BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0378fr
50-99
0.0334fr
100-199
0.0295fr
200+
0.0242fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 605
Min.: 10

Transistor NPN BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 12pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:56

Documentazione tecnica (PDF)
BC327-25
27 parametri
Corrente del collettore
0.8A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
12pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Funzione
hFE 160-400
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
160
Ic(impulso)
1A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BC337-25
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Lge Technology
Quantità minima
10

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