Transistor NPN BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

Transistor NPN BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0475fr
50-99
0.0403fr
100-199
0.0368fr
200+
0.0314fr
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Min.: 10

Transistor NPN BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Tensione collettore-emettitore VCEO: -30V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: PNP. Potenza: 0.63W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC328-25
27 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
-30V
Corrente del collettore
0.8A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92 ( Ammo Pack )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
160
Ic(impulso)
1A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
PNP
Potenza
0.63W
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
30 v
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor
Quantità minima
10

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