Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V

Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0386fr
50-99
0.0340fr
100+
0.0328fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 1210
Min.: 10

Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 110pF. Costo): 9pF. Data di produzione: 1997.04. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 70 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor epitassiale planare. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC636
25 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
110pF
Costo)
9pF
Data di produzione
1997.04
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
70 MHz
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
40
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
800mW
Quantità per scatola
1
Tecnologia
transistor epitassiale planare
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
45V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Cdil
Quantità minima
10

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