Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.15fr
5-49
0.12fr
50-99
0.11fr
100-199
0.0973fr
200+
0.0831fr
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Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 110pF. Condizionamento: Ammo Pack. Corrente collettore Ic [A]: 1A. Costo): 9pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Frequenza: 150MHz. Guadagnare hfe: 100...250. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Polarità: bipolari. Potenza: 0.8/2.75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639-16. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

BC640-16
31 parametri
Alloggiamento
TO-92
Corrente del collettore
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
110pF
Condizionamento
Ammo Pack
Corrente collettore Ic [A]
1A
Costo)
9pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Frequenza
150MHz
Guadagnare hfe
100...250
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
100
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
800mW
Polarità
bipolari
Potenza
0.8/2.75W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BC639-16
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
80V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
no
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Cdil