Transistor NPN BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-24
0.0359fr
25-99
0.0286fr
100-499
0.0237fr
500-999
0.0208fr
1000+
0.0164fr
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Quantità in magazzino: 368
Min.: 10

Transistor NPN BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Tensione collettore-emettitore VCEO: -45V. Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 500mA. Costo): 5pF. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 250. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80MHz. Funzione: NF-TR. Guadagnare hfe: 400. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. Marcatura sulla cassa: 5C. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Polarità: bipolari. Potenza: 300W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BC. Spec info: serigrafia/codice SMD 5C. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: -50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC807-40
39 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Tensione collettore-emettitore VCEO
-45V
Corrente del collettore
0.5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente collettore Ic [A]
500mA
Costo)
5pF
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
250
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80MHz
Funzione
NF-TR
Guadagnare hfe
400
Guadagno hFE massimo
600
Guadagno hFE minimo
250
Ic(impulso)
1A
Larghezza di banda MHz
100MHz
Marcatura sulla cassa
5C
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Polarità
bipolari
Potenza
300W
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BC
Spec info
serigrafia/codice SMD 5C
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
45V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di montaggio
SMD
Tipo di transistor
PNP
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
-50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10