Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0425fr
50-99
0.0359fr
100-499
0.0319fr
500+
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Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Funzione: DUAL NPN & PNP. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 13. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 13. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tipo di transistor: PNP & NPN. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC847BPN
27 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-363 ( SC-88 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-363
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Funzione
DUAL NPN & PNP
Guadagno hFE massimo
450
Guadagno hFE minimo
200
Ic(impulso)
200mA
Marcatura sulla cassa
13
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
6
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW
Quantità per scatola
2
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 13
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tipo di transistor
PNP & NPN
Transistor Darlington?
no
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10