Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-24
0.0394fr
25-99
0.0272fr
100-499
0.0227fr
500+
0.0190fr
Quantità in magazzino: 376
Min.: 10

Transistor NPN BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 125. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3A. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC856A
23 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
65V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
FT
100 MHz
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
125
Ic(impulso)
200mA
Marcatura sulla cassa
3A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 3A
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.075V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors
Quantità minima
10