Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Tensione collettore-emettitore VCEO: 65V. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 100mA. Costo): 4.5pF. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 220. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalenti: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Guadagnare hfe: 290. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. Marcatura sulla cassa: 3B. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Polarità: bipolari. Potenza: 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BC. Spec info: serigrafia/codice SMD 3B. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 80V, 65V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.065V. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: 80V. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nexperia. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34