Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0341fr
50-99
0.0304fr
100+
0.0267fr
Quantità in magazzino: 45
Min.: 10

Transistor NPN BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 125. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3E. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: SMD 3E. Temperatura di funzionamento: °C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC857A
25 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
FT
100 MHz
Funzione
uso generale
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
125
Ic(impulso)
200mA
Marcatura sulla cassa
3E
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
SMD 3E
Temperatura di funzionamento
°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.075V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
no
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10