Transistor NPN BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Qnéuantità
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50-99
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Transistor NPN BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 10pF. Corrente collettore Ic [A]: 100mA. Costo): 4.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Frequenza: 100MHz, 150MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Marcatura sulla cassa: 4G. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Numero di terminali: 3. Polarità: bipolari. Potenza: 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 50V, 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: no. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nexperia. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC860C
34 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente del collettore
0.1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
10pF
Corrente collettore Ic [A]
100mA
Costo)
4.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Frequenza
100MHz, 150MHz
Funzione
uso generale
Guadagno hFE massimo
800
Guadagno hFE minimo
420
Marcatura sulla cassa
4G
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
transistor complementare (coppia) BC850C
Numero di terminali
3
Polarità
bipolari
Potenza
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 4G
Temperatura di funzionamento
-68...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
50V, 45V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.075V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.65V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
no
Vcbo
50V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nexperia
Quantità minima
10