Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.27fr
5-49
0.23fr
50-99
0.20fr
100-199
0.19fr
200+
0.16fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 992

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 22pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 170 MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: CDC. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD CDC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC868-25-115
24 parametri
Corrente del collettore
2A
Alloggiamento
SOT-89
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT89
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
22pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
170 MHz
Guadagno hFE massimo
375
Guadagno hFE minimo
160
Ic(impulso)
3A
Marcatura sulla cassa
CDC
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.35W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD CDC
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors

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