Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.27fr
5-49
0.23fr
50-99
0.20fr
100-199
0.19fr
200+
0.16fr
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Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Alloggiamento: SOT-89. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 1A, 2A. Costo): 22pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 170 MHz. Frequenza: 60MHz, 170MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: CAC. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. Polarità: bipolari. Potenza: 950mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD CAC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 25V, 20V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BC868
29 parametri
Alloggiamento
SOT-89
Corrente del collettore
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT89
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente collettore Ic [A]
1A, 2A
Costo)
22pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
170 MHz
Frequenza
60MHz, 170MHz
Guadagno hFE massimo
375
Guadagno hFE minimo
85
Ic(impulso)
3A
Marcatura sulla cassa
CAC
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.35W
Polarità
bipolari
Potenza
950mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD CAC
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
25V, 20V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors

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