Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0541fr
50-99
0.0472fr
100-199
0.0421fr
200+
0.0358fr
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Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: XCs. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Quantità per scatola: 1. Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 10k Ohms. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice CMS XCs. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34

Documentazione tecnica (PDF)
BCR533
26 parametri
Corrente del collettore
500mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Funzione
Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata
Guadagno hFE minimo
70
Marcatura sulla cassa
XCs
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.33W
Quantità per scatola
1
Resistenza B
10k Ohms
Resistenza BE
10k Ohms
RoHS
Spec info
serigrafia/codice CMS XCs
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
1V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies
Quantità minima
10