Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 1.5A. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza massima: 50MHz. Frequenza: 50MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 3A. Marcatura del produttore: BD139. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Polarità: bipolari. Potenza: 12W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 80V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): -. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 50. Vcbo: 80V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24