Transistor NPN BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Transistor NPN BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.18fr
5-24
0.15fr
25-49
0.13fr
50-99
0.12fr
100+
0.10fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 352

Transistor NPN BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Tecnologia: Transistor planare epitassiale. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

BD140-CDIL
26 parametri
Corrente del collettore
1.5A
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
50 MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
250
Guadagno hFE minimo
25
Ic(impulso)
2A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
12.5W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BD139
Tecnologia
Transistor planare epitassiale
Temperatura di funzionamento
da -55°C a +150°C
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Cdil

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