Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.39fr
5-49
0.33fr
50-99
0.28fr
100-199
0.26fr
200+
0.22fr
Disponibili altri +747 pezzi in magazzino (consegna entro 4 ore). Contattaci per prezzi e disponibilità!
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 107

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 2A. Corrente massima 1: 2A. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza: 3MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 6A. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 3MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: BD237. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Polarità: bipolari. Potenza: 25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Serie: BD. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): -. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tipo: Potenza. Unità di condizionamento: 50. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Vcbo: 100V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BD237
46 parametri
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Tensione collettore-emettitore VCEO
80V
Corrente collettore Ic [A], max.
2A
Corrente del collettore
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-126
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
2A
Corrente massima 1
2A
Custodia (standard JEDEC)
SOT-32
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
25W
FT
3 MHz
Famiglia di componenti
transistor di potenza NPN
Frequenza
3MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
40
Guadagno hFE minimo
25
Ic(impulso)
6A
Larghezza di banda MHz
3MHz
Marcatura del produttore
BD237
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Polarità
bipolari
Potenza
25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Serie
BD
Spec info
transistor complementare (coppia) BD238
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
100V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.6V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
NPN
Tipo
Potenza
Unità di condizionamento
50
VCBO di tensione-base Collector
100V
Vcbo
100V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

Prodotti e/o accessori equivalenti per BD237