Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.48fr
5-24
0.39fr
25-49
0.34fr
50-99
0.31fr
100+
0.26fr
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Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 2A. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 2A. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza: 3MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 4A. Marcatura del produttore: BD239C. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Polarità: bipolari. Potenza: 30W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD240C. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 115V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BD239C
39 parametri
Alloggiamento
TO-220
Tensione collettore-emettitore VCEO
100V
Corrente del collettore
2A
Corrente collettore Ic [A], max.
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
115V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
2A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220AB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
30W
FT
3 MHz
Famiglia di componenti
transistor di potenza NPN
Frequenza
3MHz
Funzione
NF-L
Guadagno hFE massimo
40
Guadagno hFE minimo
15
Ic(impulso)
4A
Marcatura del produttore
BD239C
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Polarità
bipolari
Potenza
30W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BD240C
Temperatura di funzionamento
-...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
115V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
100V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics