Transistor NPN BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: 4A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: THT. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 4A. Corrente massima 1: -4A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Diodo incorporato: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Funzione: NF-L. Guadagnare hfe: 750. Guadagno hFE massimo: -. Guadagno hFE minimo: 750. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: BD682. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Polarità: bipolari. Potenza: 40W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. RoHS: sì. Serie: BD682. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tipo: transistor Darlington. Transistor Darlington?: sì. VCBO di tensione-base Collector: -100V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24