Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

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Transistor NPN BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Tensione collettore-emettitore VCEO: -60V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente massima 1: -3A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 100MHz. Marcatura del produttore: BDP950. Numero di terminali: 3. Polarità: PNP. Potenza: 3W. RoHS: sì. Serie: BDP. Temperatura massima: +150°C.. Tipo di montaggio: SMD. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. VCBO di tensione-base Collector: -60V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:48

Documentazione tecnica (PDF)
BDP950
23 parametri
Alloggiamento
SOT-223
Custodia (standard JEDEC)
TO-264
Tensione collettore-emettitore VCEO
-60V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
60V
Corrente collettore Ic [A], max.
3A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente massima 1
-3A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Dissipazione massima Ptot [W]
5W
Famiglia di componenti
transistor di potenza PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Larghezza di banda MHz
100MHz
Marcatura del produttore
BDP950
Numero di terminali
3
Polarità
PNP
Potenza
3W
RoHS
Serie
BDP
Temperatura massima
+150°C.
Tipo di montaggio
SMD
Tipo
transistor per applicazioni a basso consumo
VCBO di tensione-base Collector
-60V
Prodotto originale del produttore
Infineon