Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.22fr
5-14
4.90fr
15-29
4.67fr
30-59
4.44fr
60+
4.03fr
Quantità in magazzino: 21

Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 15A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Power Integrations. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BDV64C-POW
22 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-93
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Guadagno hFE minimo
1000
Ic(impulso)
15A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
125W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BDV65C
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Power Integrations