Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.88fr
5-24
1.63fr
25-49
1.46fr
50+
1.28fr
Quantità in magazzino: 48

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 1 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 750. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84C. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tf(massimo): 7us. Tf(min): 0.9us. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Div. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:30

Documentazione tecnica (PDF)
BDW83C-PMC
23 parametri
Corrente del collettore
15A
Alloggiamento
TO-3PN ( 2-16C1B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PN
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
1 MHz
Guadagno hFE massimo
20000
Guadagno hFE minimo
750
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BDW84C
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tf(massimo)
7us
Tf(min)
0.9us
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
100V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Div