Transistor NPN BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V

Transistor NPN BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.64fr
5-24
0.56fr
25-49
0.49fr
50-99
0.44fr
100+
0.36fr
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Transistor NPN BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 10A. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 10A. Corrente massima 1: 10A. Custodia (standard JEDEC): TO-220. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Diodo incorporato: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. FT: 20 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza massima: 20MHz. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Guadagnare hfe: 750. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: BDX33C. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Polarità: bipolari. Potenza: 70W. Quantità per scatola: 2. Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 150 Ohms. RoHS: sì. Serie: BDX33. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX34C. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione (collettore - emettitore): 100V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tipo: transistor Darlington. Transistor Darlington?: sì. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:24

Documentazione tecnica (PDF)
BDX33C
51 parametri
Alloggiamento
TO-220
Tensione collettore-emettitore VCEO
100V
Corrente del collettore
10A
Corrente collettore Ic [A], max.
10A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
10A
Corrente massima 1
10A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
750
Diodo BE
no
Diodo CE
Diodo incorporato
Dissipazione massima Ptot [W]
70W
FT
20 MHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Frequenza massima
20MHz
Funzione
10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2)
Guadagnare hfe
750
Guadagno hFE massimo
750
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
15A
Marcatura del produttore
BDX33C
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70W
Polarità
bipolari
Potenza
70W
Quantità per scatola
2
Resistenza B
10k Ohms
Resistenza BE
150 Ohms
RoHS
Serie
BDX33
Spec info
transistor complementare (coppia) BDX34C
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
100V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
100V
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
NPN
Tipo
transistor Darlington
Transistor Darlington?
VCBO di tensione-base Collector
100V
Vcbo
100V
Vebo
2.5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics