Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0504fr
50-99
0.0416fr
100+
0.0360fr
Quantità in magazzino: 20777
Min.: 10

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo CE: sì. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. FT: 80 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Marcatura del produttore: BF421. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BF421
33 parametri
Alloggiamento
TO-92
Custodia (standard JEDEC)
TO-226AA
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
300V
Corrente collettore Ic [A], max.
500mA
Corrente del collettore
50mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
300V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo CE
Dissipazione massima Ptot [W]
0.625W
FT
80 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP ad alta tensione
Frequenza di taglio ft [MHz]
60 MHz
Guadagno hFE minimo
40
Ic(impulso)
100mA
Marcatura del produttore
BF421
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
830mW
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Spec info
transistor complementare (coppia) BF420
Tecnologia
Transistor planare triplo diffuso
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.2V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
300V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Toshiba
Quantità minima
10