Transistor NPN BF450, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V

Transistor NPN BF450, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.15fr
5-49
0.13fr
50-99
0.12fr
100-199
0.10fr
200+
0.0883fr
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Transistor NPN BF450, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Corrente del collettore: 25mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. FT: 350MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 25mA. Marcatura del produttore: BF450. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BF450
32 parametri
Alloggiamento
TO-92
Custodia (standard JEDEC)
TO-226AA
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
40V
Corrente collettore Ic [A], max.
25mA
Corrente del collettore
25mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92 ( SOT-54 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
40V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.3W
FT
350MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
350 MHz
Funzione
Stadi HF e IF nei ricevitori radio
Guadagno hFE minimo
50
Ic(impulso)
25mA
Marcatura del produttore
BF450
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Spec info
feedback capacitance--0.45pF
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
4 v
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors

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