Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.85fr
5-49
0.75fr
50-99
0.66fr
100+
0.57fr
Quantità in magazzino: 64

Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: %MW. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW (total 380mW). Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD MW. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFG67X
25 parametri
Corrente del collettore
50mA
Alloggiamento
SOT-143
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-143B
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
10V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1.3pF
Costo)
0.7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
8GHz
Funzione
UHF wideband transistor
Guadagno hFE massimo
100
Guadagno hFE minimo
60
Marcatura sulla cassa
%MW
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300mW (total 380mW)
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD MW
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2.5V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors