Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.33fr
5-49
0.28fr
50-99
0.24fr
100-199
0.22fr
200+
0.18fr
Quantità in magazzino: 65

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corrente del collettore: 80mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 0.9pF. Costo): 0.28pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: RC. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580mW (total 380mW). Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD RC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFP193E6327
25 parametri
Corrente del collettore
80mA
Alloggiamento
SOT-143
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-143
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
12V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
0.9pF
Costo)
0.28pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
8GHz
Funzione
UHF wideband transistor
Guadagno hFE massimo
140
Guadagno hFE minimo
70
Marcatura sulla cassa
RC
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
580mW (total 380mW)
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD RC
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies