Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

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Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 35mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 6GHz. Funzione: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura sulla cassa: R2. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD R2. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 3000. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFR93A
24 parametri
Corrente del collettore
35mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
12V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Condizionamento
rotolo
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
6GHz
Funzione
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Guadagno hFE massimo
90
Guadagno hFE minimo
40
Marcatura sulla cassa
R2
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.3W
Quantità per scatola
1
Spec info
SMD R2
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tipo di transistor
NPN
Unità di condizionamento
3000
Vcbo
15V
Vebo
2V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors